型 号:Nava Nano SEM 450
放置地点:科技孵化园111室
联系方式:
联 系 人:赵宏龙
电 话:15885085686
主要规格及技术指标:
。分辨率
二次 电子(SE )像
高真空模式:1.0nm@15kV ; 1.4nm@1kV
低真空模式 :1.5nm@ 0kV ; 1.8nm@3kV
放大倍率 :35~900000倍 ,根据加速 电压和工作距离的改变,放大倍数自动校准。
。加速 电压:0.2 – 30 kV 着陆电压:0.05-30kV
。样品室:样品室左右内径:大于379mm,可安装EDS+EBSD附件
。样品 台:五轴马达驱动,最大移动范围指标:X=Y=110mm,z=25mm.
。连续旋转 :R=360 °
。倾斜角T范 围:-15 °~70 °
。探测器:
二次电子探头 :E-T二次电子检测器,TLD-SE极靴内二次电子检测器,TLD-BSE极靴内背散射电子检测器 ,LV D低真空二次 电子探测器 ;He lix低 真空超高分辨二次电子探测器
背散射电子探头:低电压取向背散射电子检测器(DBS)
样品室IR-CCD相机
主要功能及特色:
观察、分析和记录材料的微观形貌,通过配备EDS、EBSD等进行材料组成与结构分析。具有高真空和低真空(<200 Pa)两种模式。
EDAX公司能谱仪(EDS)与电子背散射衍射(EBSD)一体化系统。
喷金一体化。